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产品信息
反向耐压：200V
平均整流电流：1A
反向恢复时间：一般为 25ns-35ns
正向压降：约 0.92V-0.95V@1A
反向漏电流：5μA-100μA@200V
低轮廓封装：适合空间有限的电路板设计
内置应力释放：有助于提高器件在焊接和使用过程中的抗应力能力
超快速恢复时间：ES1D能够实现高效率的开关操作，适用于高频电路
正向导通：当正向电压加在二极管两端时，PN结中的少数载流子发生注入，形成正向电流，二极管处于导通状态
反向截止：当反向电压加在二极管两端时，PN结中的载流子被反向电场推回，二极管处于截止状态
反向恢复：当二极管从导通状态转换为截止状态时，由于PN结中积累的少数载流子需要时间清除，导致反向电流先增大后减小，这个过程称为反向恢复。ES1D的反向恢复时间（trr）非常短，通常为15ns，这使得它在高频电路中表现出色
平均整流电流：1A
反向恢复时间：一般为 25ns-35ns
正向压降：约 0.92V-0.95V@1A
反向漏电流：5μA-100μA@200V
封装形式：DO-214AC（SMA）
引脚数：2Pin
尺寸：长 4.50mm，宽 2.70-2.79mm，高度 2.20-2.29mm。
安装类型：SMT（表面贴装）
工作温度：-55℃-+150℃
是否无铅：是
玻璃钝化结：具有良好的稳定性和可靠性低轮廓封装：适合空间有限的电路板设计
内置应力释放：有助于提高器件在焊接和使用过程中的抗应力能力
超快速恢复时间：ES1D能够实现高效率的开关操作，适用于高频电路
正向导通：当正向电压加在二极管两端时，PN结中的少数载流子发生注入，形成正向电流，二极管处于导通状态
反向截止：当反向电压加在二极管两端时，PN结中的载流子被反向电场推回，二极管处于截止状态
反向恢复：当二极管从导通状态转换为截止状态时，由于PN结中积累的少数载流子需要时间清除，导致反向电流先增大后减小，这个过程称为反向恢复。ES1D的反向恢复时间（trr）非常短，通常为15ns，这使得它在高频电路中表现出色
正向电流：根据实际需求选择合适的正向电流容量。
反向恢复时间：选择符合电路工作频率的二极管，通常需要反向恢复时间更短的型号。
正向压降：选择正向压降较低的二极管，以降低功耗，提高电路效率。
封装形式：根据电路设计要求选择合适的封装形式。