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MBRD20100CT 的关键参数

• 电气性能：
  • 反向重复峰值电压（VRRM）：100V，适用于低压整流与续流场景。
  • 平均正向电流（IF (AV)）：20A，支持持续大电流负载。
  • 正向压降（VF）：典型值 0.82V@10A至 0.90V@10A，导通损耗显著低于传统硅二极管。
  • 反向恢复时间（TRR）：部分制造商标注为 5ns，部分型号可达 35ns，接近零纳秒的肖特基特性显著降低高频开关损耗。
  • 浪涌电流能力：120A至 220A，可承受短时大电流冲击。
• 封装与结构：
  • 封装类型：TO-252（DPAK），表面贴装设计，3 引脚配置（双阳极、共阴极），金属基板与大面积焊盘支持高效散热。
  • 尺寸：10.3mm?6.6mm?2.3mm（标准 TO-252 尺寸），引脚间距 2.54mm，紧凑设计便于高密度 PCB 布局。
• 工作条件：
  • 温度范围：结温 - 55?C 至 %2B 175?C，适应宽温环境。
  • 湿度敏感性：符合 MSL 1 标准，无需特殊防潮处理。

MBRD20100CT 的应用领域

• 开关电源：作为次级整流二极管，利用低正向压降特性降低导通损耗，适用于适配器、充电器等低压输出设备。
• 新能源系统：如储能逆变器、车载充电器，处理低压大电流转换，提升系统能效。
• 电机驱动：作为续流二极管保护电路，支持低压逆变器和直流电机驱动模块。
• 消费电子：如手机快充、智能家居设备，满足小型化与高效能需求。

MBRD20100CT 的产品特性

• 低反向漏电流：高温下保持 10μA@100V（典型值），确保长期稳定性。
• 高效性能：采用肖特基势垒技术，优化正向压降与恢复时间，适合 100kHz 以上高频应用。
• 封装优势：双二极管共阴极设计减少 PCB 空间占用，简化电路布局。
• 散热能力：TO-252 封装金属基板配合大面积焊盘，建议 PCB 铜箔面积≥500mm? 以提升散热效率。

MBRD20100CT 的注意事项

• 散热设计：建议采用过孔阵列增强散热，避免长期工作时过热。

综上，MBRD20100CT TO-252 凭借其低压高频高效能、零反向恢复特性和紧凑封装，成为低压大电流开关电路的理想选择，尤其适合对效率和空间要求严格的消费电子及新能源应用场景。