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BU406 TO-263 NPN功率晶体管

BU406he心参数

• 电压与电流能力：
  集电极 - 发射极电压（VCEO）达 200V（zui小值），适用于 200V 以下高压电路；集电极电流（IC）zui大 7A（连续），峰值电流 10A，满足中小功率高压开关需求。
• 功率耗散：
  在 25℃环境温度下，安装标准散热片时功率耗散（PD）约为 60W；TO-263 封装因散热效率提升 10%-15%，实际功率耗散可能达 66-69W。无散热片时功率耗散需限制在 5W 以内（基于结到环境热阻 RθJA=30℃/W）。
• 直流电流增益（hFE）：
  在 IC=2A、VCE=5V 条件下，hFE zui小值为 10，典型值 15-20，分为 O（10-15）、Y（15-20）两个等级，可稳定实现高压大电流开关。
• 饱和压降：
  集电极 - 发射极饱和电压（VCE (sat)）为 1V（典型值，@IC=5A，IB=0.5A），比传统高压晶体管降低约 30%，显著减少导通损耗。
• 工作温度：
  -55℃至 %2B 150℃宽温范围，适应工业环境及汽车级应用。
• 结构设计：
  采用平面工艺优化开关速度，环氧树脂外壳符合 UL94V-0 阻燃标准

BU406产品特性

1. 高压高可靠性开关能力
   VCEO 达 200V，特别适合 200V 以下高压开关应用，如电子镇流器、反激式 / 正激式开关电源的次级控制，可稳定处理 200V 直流电压。集电极电流 7A（连续）、10A（峰值），支持直接驱动高压继电器、电磁阀等高负载设备。
2. 低饱和压降与高效散热
   VCE (sat) 典型值 1V（@5A），在大电流导通时功耗显著降低。例如，在 24V/5A 电源中可减少约 5W 功耗，提升系统效率。TO-263 封装集成大面积金属散热片，热阻 RθJC=3.5℃/W（结到壳），支持直接焊接至 PCB 铜箔或散热器，散热效率比普通 TO-220 提升 12%。
3. 高可靠性与宽温适应性
   采用环氧树脂封装，抗机械冲击能力强；符合 RoHS 标准，无铅化工艺兼容现代绿色电子制造需求。-55℃至 %2B 150℃工作温度范围，可适应极端工业环境及汽车级应用中的温度波动。
4. 内置二极管保护
   集成反向并联集电极 - 发射极二极管，无需外部续流二极管即可保护电路免受感性负载（如电机、变压器）产生的反向电压冲击，简化设计并降低成本。

BU406典型应用

• 电子镇流器：作为高压开关元件驱动荧光灯，通过高频 PWM 控制实现稳定调光，支持 200V 以下供电系统，适用于工业照明和商业照明设备。
• 开关电源：在反激式或正激式开关电源中作为次级开关元件，配合 PWM 控制器实现高效功率转换，典型应用于医疗设备电源和工业设备。
• 高压电机驱动：作为低侧开关驱动小型高压直流电机或步进电机，通过 PWM 控制实现速度调节，尤其适合 200V 以下供电的精密仪器和自动化设备。
• 工业控制模块：在 PLC（可编程逻辑控制器）中作为信号放大与隔离元件，控制高压继电器、电磁阀等高负载设备，确保工业系统稳定运行。
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