深圳市新亿利电子有限公司

BLD128D TO-263 高频开关晶体管

BLD128Dhe心参数

• 电压与电流能力：
  集电极 - 发射极电压（VCEO）达 400V（zui小值），适用于 400V 以下高压电路；集电极电流（IC）zui大 5A（连续），峰值电流 8A，满足高压开关及镇流器需求。
• 功率耗散：
  在 25℃环境温度下，安装标准散热片时功率耗散（PD）约为 75W（TO-220 版本参；TO-263 封装因散热效率提升 10%-15%，实际功率耗散可能达 82.5-86.25W。无散热片时功率耗散需限制在 8W 以内。
• 直流电流增益（hFE）：
  在 IC=2.5A、VCE=5V 条件下，hFE zui小值为 10，典型值 20-40，分为多个等级，可稳定实现高压开关。
• 饱和压降：
  集电极 - 发射极饱和电压（VCE (sat)）为 1.5V，比传统开关晶体管降低约 10%，显著减少导通损耗。
• 工作温度：
  -55℃至 %2B 150℃宽温范围，适应工业环境及消费电子应用。
• 结构设计：
  采用平面工艺优化开关速度，环氧树脂外壳符合 UL94V-0 阻燃标准；

BLD128D产品特性

1. 高电压开关与镇流器专用能力
   VCEO 达 400V，特别适合高压开关电源、电子镇流器及工业控制模块。集电极电流 5A（连续）、8A（峰值），支持直接驱动高压负载，如荧光灯镇流器和工业继电器。其高电压耐受能力可应对电网电压波动（如 220V?15%），确保系统稳定性。
2. 低饱和压降与高效散热
   VCE (sat) 典型值 1.5V（@5A），在大电流导通时功耗显著降低。例如，在 240V/5A 电源中可减少约 7.5W 功耗，提升系统效率。TO-263 封装集成大面积金属散热片，热阻 RθJC=2.5℃/W（结到壳），支持直接焊接至 PCB 铜箔或散热器，散热效率比普通 TO-220 提升 20%。
3. 高可靠性与宽温适应性
   采用环氧树脂封装，抗机械冲击能力强；符合 RoHS 标准，无铅化工艺兼容现代绿色电子制造需求。-55℃至 %2B 150℃工作温度范围，可适应极端工业环境及消费电子设备中的温度波动。
4. 内置二极管保护
   集成反向并联集电极 - 发射极二极管，无需外部续流二极管即可保护电路免受感性负载（如电机、变压器）产生的反向电压冲击，简化设计并降低成本。

BLD128D典型应用

• 电子镇流器：作为半桥电路的开关元件，驱动荧光灯或 LED 照明系统，支持 400V 以下供电系统，典型应用于工业照明和商业照明设备。
• 高压开关电源：在反激式或正激式开关电源中作为次级开关元件，配合 PWM 控制器实现高效功率转换，典型应用于工业设备电源和医疗设备。
• 电机驱动模块：作为低侧开关驱动小型高压直流电机或步进电机，通过 PWM 控制实现速度调节，尤其适合 400V 以下供电的自动化设备。
• 工业控制信号放大：在 PLC（可编程逻辑控制器）中作为信号放大与隔离元件，控制高压继电器、电磁阀等高负载设备，确保工业系统稳定运行。
•