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SS16Fhe心参数

• 电压与电流能力：
  • 反向峰值电压（VRRM）60V，正向平均整流电流（IF (AV)）1A，可承受 25-40A 的正向浪涌峰值电流（IFSM，8.3ms 单半正弦波，如 MDD Diodes 及 Hottech 数据）。
  • 正向压降（VF）典型值0.70V（@1A）：相比超快恢复二极管降低 50% 以上导通损耗，例如在 12V/1A 输出的 DC-DC 转换器中，相比 ES16F 可减少 0.8W 功耗。
  • 反向漏电流（IR）≤0.5mA（@60V，TA=25℃），高温下（TA=125℃）仍保持≤20mA（Galaxy Semi-Conductor 数据）。
• 宽温域工作：支持 - 55℃至 %2B 150℃的极端温度环境，满足工业级及部分车规级应用需求。
• 封装规格：
  • 尺寸 3.65?2.80?1.40mm（SMAF/2 引脚），引脚间距 1.27mm，符合 JEDEC 标准，厚度比传统 SMA 封装减少 36%（从 2.2mm 降至 1.40mm），体积缩小 30%，适合高密度贴片布局。
  • 引脚可承受 260℃回流焊（10 秒），兼容标准 SMT 工艺，采用金属框架与芯片底面全焊接设计，典型热阻（RθJA）为 95℃/W（安装在 10mm?10mm 铜箔上，参考 MDD Diodes 数据）。

SS16F技术优势

1. 低功耗与高频性能：
   • 超快速开关特性（反向恢复时间 Trr≤10ns），开关损耗比普通整流桥低 60%，适用于 200kHz 以上的 DC-DC 转换器及逆变器，可提升系统效率 2-3%。
   • 例如，在工业伺服驱动器中，相比普通硅二极管可减少 1.2W 功耗，显著降低发热并延长元件寿命。
2. 散热优化与可靠性：
   • 金属框架与芯片底面全焊接设计，配合≥10mm?10mm 铜箔散热焊盘或 Φ0.3mm 散热过孔阵列（密度≥5 个 /cm?），可有效降低结温。
   • 内置 Guard Ring 保护结构，增强抗浪涌能力；符合 RoHS 3 及无铅标准，部分厂商型号（如东沃电子 SS16F）通过严格的 HTRB 测试，反向漏电流≤10μA，适合工业及汽车电子应用。
3. 兼容性与环保合规：
   • 引脚间距 1.27mm，兼容标准 SMT 贴片工艺，支持回流焊和波峰焊，可直接替代传统 SMA 封装器件。
   • 符合欧盟 RoHS 3 指令及中国 RoHS 标准，无卤素、无铅化设计，满足quan球环保要求。

SS16F典型应用

• 工业设备：PLC 电源模块的高压侧整流、伺服驱动器的续流保护，60V 高耐压特性可应对电网波动。
• 汽车电子：车载 OBC（车载充电器）的反向极性保护、ECU（电子控制单元）的电源管理，车规级型号符合 AEC-Q101 标准。
• 通信设备：5G 基站的信号调理电路、路由器的浪涌防护，低 VF 特性可减少信号衰减。
• 新能源领域：太阳能微逆变器的高频整流、储能系统的过压保护，支持 150℃高温环境下的长期运行。

该器件以高耐压、低功耗和高频性能，成为中高压高频电路的理想选择，尤其适合对稳定性、电压保护和空间布局要求严苛的工业设备、汽车电子及通信设备应用场景。