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US1GF he心参数与封装特性

• 电气性能：
  zui大反向重复峰值电压（VRRM）为400V，平均正向整流电流（IF）达1A，可承受30A的非重复正向浪涌电流（8.3ms 半正弦波）。反向恢复时间（trr）仅为50ns（典型值，如佑风微、Diotec 参数），支持高频开关应用。正向压降（VF）低至1.3V（@1A，佑风微版本）或1.4V（@1A，Microdiode 版本），导通损耗比传统硅二极管降低 25% 以上。
• 封装设计：
  采用SMAF（DO-214AD）表面贴装封装，尺寸为3.70?2.70?1.10mm，厚度比传统 SMA 封装薄 40%。引脚平贴底部设计，避免虚焊风险，同时优化散热路径，热阻更低（RθJA=50℃/W，RθJL=32℃/W，佑风微版本）。封装符合 UL 94V-0 阻燃标准，端子可承受260℃/10 秒高温焊接，支持回流焊工艺（峰值温度 250℃）。

US1GF he心优势

1. 高频开关与能效优化：
   50ns 超快反向恢复特性显著减少开关损耗，比普通快恢复二极管效率提升 40%，适用于100kHz 以上高频电路。结电容（Cj）仅为15pF（@4V/1MHz，Microdiode 版本），降低寄生振荡风险，适合精密信号处理。
2. 中高压适配与可靠性：
   400V 反向耐压可满足工业逆变器、开关电源及汽车高压模块的需求，采用 GPP 玻璃钝化芯片工艺，漏电流低至5μA（@400V），工作温度范围 **-55℃~%2B150℃**，可承受高冲击电流与恶劣环境长期运行。
3. 小型化与兼容性：
   SMAF 封装体积紧凑，支持高密度 PCB 布局，引脚间距与 SMA 兼容，可直接替代传统封装，适合自动化贴片生产。底部平面设计实现 100% 芯片焊接面积，散热效率提升 30%，建议搭配6.0?6.0mm 铜箔增强散热。
4. 环保合规：
   符合 RoHS 标准，无铅化设计满足欧盟环保要求，部分厂商（如佑风微）提供 3C ren证版本（需参考具体 datasheet）。

US1GF 典型应用

• 工业设备：
  • 光伏逆变器：高频整流与 DC/DC 转换模块的快速开关。
  • 电焊机：高压次级电路的高效整流与浪涌保护。
  • 变频器：IGBT 模块的续流与电压钳位。
• 消费电子：
  • 笔记本电源适配器：AC/DC 转换的高压整流。
  • 服务器电源：高效开关电源的续流二极管。
• 汽车电子：
  • 车载 OBC（车载充电器）：高压直流转换模块的快速整流。
  • 汽车 LED 大灯驱动：高电压下的稳定电流控制。
• 通信设备：
  • 5G 基站电源：48V 直流电源的高频滤波与整流。
  • 数据中心 UPS：逆变器的高效转换与稳定性保障。

技术细节补充

• 浪涌能力：可承受 8.3ms 半正弦波浪涌电流（30A），适合应对电机启动或雷击浪涌。
• 热管理：封装底部平面设计实现 100% 芯片焊接面积，建议 PCB 布局时使用6.0?6.0mm 铜箔以增强散热，结温（TJ）控制更优，支持长时间满负荷运行。
• 寄生参数：典型结电容（Cj）为 15pF（@4V/1MHz），适合高频电路设计，但需注意与周边元件的匹配。
• 存储条件：建议在干燥环境下保存，MSL 等级为 1（无湿度敏感），符合 JEDEC 标准。