深圳市新亿利电子有限公司

技术参数

• 封装形式：SMA，贴片封装
• 平均整流电流（IFAV）：0.2A
• 反向电压（VRRM）：4000V
• 正向压降（VF）：通常在1.1V左右
• 反向漏电流（IR）：在4000V反向电压下，漏电流为5μA
• 反向恢复时间（trr）：通常为几百纳秒
• 工作温度范围（TJ）：-55℃到+150℃

特性

• 高耐压：4000V的高反向电压使其适用于高压电路
• 小尺寸：SMA封装体积小，适合紧凑型设计
• 低漏电流：在高反向电压下仍能保持低漏电流
• 高可靠性：适用于多种应用场景，包括电源适配器和充电器

应用场景

• 电源适配器：用于小功率电源适配器
• 充电器：适用于小型充电设备
• 高压电路：适用于需要高耐压的电路

  
  

工作原理

• PN结的形成与特性

R4K SMA二极管由P型半导体和N型半导体紧密结合而成，形成PN结。在PN结的界面处，由于P区的空穴和N区的电子的扩散运动，形成了一个内建电场。这个内建电场在没有外加电压时，会阻止载流子的进一步扩散，使PN结处于平衡状态。

• 正向导通

当外加正向电压（即P区接电源正极，N区接电源负极）时，外加电场会抵消PN结的内建电场，使载流子能够自由扩散，从而形成正向电流

• 反向截止

当外加反向电压（即P区接电源负极，N区接电源正极）时，外加电场会增强PN结的内建电场，使载流子的扩散受到更强的阻碍。因此，反向电流非常小，通常可以忽略不计。此时，二极管处于截止状态，阻止电流通过

• 反向击穿

当反向电压超过一定数值时，PN结的内建电场会被击穿，导致反向电流急剧增加。这种现象称为反向击穿。反向击穿分为齐纳击穿和雪崩击穿两种。齐纳击穿通常发生在高掺杂浓度的PN结中，而雪崩击穿则发生在低掺杂浓度的PN结中。

• 高频应用

R4K SMA二极管由于其快速恢复时间和低正向压降，适合用于高频应用。在高频电路中，二极管的反向恢复时间（trr）和结电容（Cj）是影响其性能的关键参数。R4K SMA二极管的反向恢复时间较短，能够快速切换状态，减少高频应用中的能量损耗

总结

R4K SMA二极管是一款小功率、高耐压的整流二极管，具有0.2A的平均整流电流和4000V的反向耐压。其SMA封装形式使其体积小、散热性能好，适合紧凑型设计。该二极管适用于小功率高压应用，如电源适配器和充电器。