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BAV70he心参数与特性

• 结构设计：双硅二极管共阴极配置，引脚 1 和 2 为阳极（Anode），引脚 3 为公共阴极。这种设计支持双向信号整流、?70V 浪涌防护及高频开关，减少 PCB 空间占用达 50%。
• 电气性能：
  • 反向重复峰值电压（VRRM）：70V至100V，覆盖宽电压范围电路的浪涌防护需求。
  • 正向平均电流（IF (AV)）：200mA至215mA，峰值正向电流（IFSM）达450mA（脉冲宽度 1μs），适合中低功耗负载切换。
  • 正向压降（VF）：≤1.25V@150mA，典型值为855mV@10mA，确保低导通损耗。
  • 反向恢复时间（trr）：4ns至6ns，支持高频信号处理（如 100MHz 以下通信），显著优于低频二极管。
  • 反向漏电流（IR）：≤2.5μA@75V，典型值低至30nA@25V，显著降低待机功耗，延长电池续航。
  • 结电容（Cj）：1.5pF@0V/1MHz，确保高频信号完整性。
  • 功率耗散（Pd）：225mW至350mW，需在 PCB 设计中合理分配散热面积。
• 环境适应性：
  • 工作温度范围：-55?C 至 %2B 150?C，满足宽温工业级及汽车级应用需求。
  • 符合 RoHS 标准，支持无铅焊接工艺。

BAV70封装与制造

• 尺寸参数：SOT-23-3 封装尺寸为2.9mm?1.3mm?1.1mm或3.1mm?1.65mm?1.3mm，引脚间距 0.95mm，适合高密度 PCB 布局。引脚定义明确：引脚 1 和 2 为阳极，引脚 3 为公共阴极。
• 生产工艺：采用平面钝化技术和硅外延工艺，提升长期可靠性；卷带包装（3000pcs / 盘）支持自动化贴片生产。通过 AEC-Q101 ren证，满足汽车电子高可靠性要求。

BAV70典型应用

1. 通信设备：
   • 射频开关：在 100MHz 以下频段实现信号单向传输，结电容 1.5pF 确保低插入损耗，适用于 5G 基站和物联网模块。
   • USB 接口保护：双向浪涌抑制，配合 TVS 二极管可吸收 ?70V 瞬态电压，防止数据线损坏。
2. 汽车电子：
   • ECU 信号调理：高频信号（如 CAN 总线）的双向限幅，确保数据传输稳定性，支持 AEC-Q101 ren证型号。
   • LED 驱动电路：反向电压保护，防止感性负载产生的电压尖峰。
3. 工业控制：
   • 传感器接口：保护 4-20mA 电流环免受静电放电（ESD）干扰，支持 IEC 61000-4-2 接触放电 ?8kV。
   • 电机控制：续流二极管与 MOSFET 并联，抑制反向电动势。
4. 消费电子：
   • 电池防反接：通过公共阴极连接负载正极，防止电池反向插入损坏电路。
   • 高速数据采集：4ns 反向恢复时间支持快速信号检测，适用于智能手机摄像头模块。

差异化优势

• 高速开关能力：4ns 反向恢复时间支持高频信号处理，适用于 5G 通信模块和高速数据采集系统，比 BAV99（4-6ns）更具优势。
• 低结电容优化：1.5pF 结电容确保高频信号完整性，适合射频开关和高速调制电路。
• 汽车级ren证：通过 AEC-Q101 ren证，满足汽车电子高可靠性要求。
• 宽电压范围：支持 70V 至 100V 反向电压，适用于高压环境，如工业控制和汽车电子。
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