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BAV74he心参数与特性

• 结构设计：双硅二极管共阴极配置，引脚 1 和 2 为阳极（Anode），引脚 3 为公共阴极。这种设计支持双向信号整流、?50V 浪涌防护及高速开关，减少 PCB 空间占用达 50%。
• 电气性能：
  • 反向重复峰值电压（VRRM）：50V至60V，覆盖中低压电路的浪涌防护需求。
  • 正向平均电流（IF (AV)）：200mA，峰值正向电流（IFSM）达2A，适合中低功耗负载切换。
  • 正向压降（VF）：≤1.0V@100mA，zui大值为1.25V@150mA，确保低导通损耗。
  • 反向恢复时间（trr）：4ns至6ns，支持高频信号处理，显著优于低频二极管。
  • 反向漏电流（IR）：≤100nA@50V，zui大值为100μA@50V，显著降低待机功耗，延长电池续航。
  • 结电容（Cj）：2pF@0V/1MHz，确保高频信号完整性。
  • 功率耗散（Pd）：225mW至350mW，需在 PCB 设计中合理分配散热面积。
• 环境适应性：
  • 工作温度范围：-55?C 至 %2B 150?C，满足宽温工业级及消费电子需求。
  • 符合 RoHS 标准，支持无铅焊接工艺。

BAV74封装与制造

• 尺寸参数：SOT-23-3 封装尺寸为3.10mm?1.65mm?1.30mm或3.02mm?1.70mm?1.15mm，引脚间距 0.95mm，适合高密度 PCB 布局。引脚定义明确：引脚 1 和 2 为阳极，引脚 3 为公共阴极。
• 生产工艺：采用平面钝化技术和硅外延工艺，提升长期可靠性；卷带包装（3000pcs / 盘）支持自动化贴片生产。

BAV74典型应用

1. 消费电子：
   • USB 接口保护：双向浪涌抑制，配合 TVS 二极管可吸收 ?50V 瞬态电压，防止数据线损坏。
   • 电池防反接：通过公共阴极连接负载正极，防止电池反向插入损坏电路。
   • RTC 电源切换：利用低漏电流特性（IR≤100nA），在主电源断开时通过锂电池为 RTC 供电，减少待机功耗。
2. 通信设备：
   • 射频开关：在 100MHz 以下频段实现信号单向传输，结电容 2pF 确保低插入损耗，适用于 5G 基站和物联网模块。
   • 信号调理：高频信号（如 CAN 总线）的双向限幅，确保数据传输稳定性。
3. 工业控制：
   • 传感器接口：保护 4-20mA 电流环免受静电放电（ESD）干扰，支持 IEC 61000-4-2 接触放电 ?8kV。
   • 电机控制：续流二极管与 MOSFET 并联，抑制反向电动势，保护驱动电路。
4. 电源管理：
   • 多路电源切换：在超级电容与锂电池的供电系统中，防止电流倒流，确保平滑切换。
   • 电压箝位：在 DC-DC 转换器输出端实现双向过压保护，限制电压波动范围。

差异化优势

• 低漏电流优化：100nA@50V 的反向漏电流显著降低待机功耗，适合可穿戴设备和物联网传感器。
• 高速开关能力：4ns 反向恢复时间支持高频信号处理，适用于高速数据采集系统。
• 共阴极结构：对称电压箝位设计减少元件数量，简化电路布局，例如在 USB 接口中可同时抑制正负浪涌。
• 宽温工作范围：-55?C 至 %2B 150?C 的工作温度适应极端工业环境。
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