深圳市新亿利电子有限公司

BD676 关键技术特性

1. 达林顿结构与超高电流增益
   采用单片达林顿配置，实现直流电流增益（hFE）zui小值 750，显著降低基极驱动需求。
2. 宽电压与低饱和压降
   45V 的 VCEO 支持中低压应用，典型饱和压降为2.5V，降低导通损耗，适合长时间高负载运行。。
3. 紧凑封装与散热优化
   TO-126 封装尺寸为 7.6mm?2.65mm，引脚间距 2.54mm，支持通孔安装。金属引脚设计配合铝制散热片，可实现 40W 功率耗散，适合空间受限的工业模块。

BD676 典型应用领域

1. 电机驱动与控制
   作为 H 桥电路的低侧驱动管，与 NPN 型达林顿管（如 BD675）配合驱动 12V/4A 直流电机。基极驱动电阻建议为 1kΩ（Ib=4mA 时），并并联 10kΩ 下拉电阻防止误触发。需外部续流二极管（如 MUR160）保护器件免受反电动势损坏。
2. 电源管理与线性稳压
   在 24V 工业电源中作为调整管，输出电流 4A，纹波抑制比可达 70dB 以上。基极驱动电路需串联 1kΩ 电阻，并并联 100μF 电解电容稳定偏置电压，确保深度饱和。
3. 音频功率放大
   与 BD675 组成推挽式放大电路，驱动 4Ω 负载输出 20W 功率，总谐波失真（THD）≤0.5%。基极需接 100Ω 电阻限流，并并联 100pF 高频旁路电容抑制振荡。
4. 工业控制与继电器驱动
   控制 12V/1A 继电器时，基极驱动电流仅需 1mA（hFE=1000），配合 1N4148 续流二极管可延长器件寿命。开关时间≤1μs，适合低速信号切换。

技术参数

• 极限参数：
  • 集电极 - 发射极电压（VCEO）：45V
  • 集电极电流（Ic）：4A（连续），脉冲电流 8A
  • 功率耗散（Pd）：40W（Tc=25℃，需散热片）/1.5W（Ta=25℃）
  • 直流电流增益（hFE）：750~12,000
• 动态特性：
  • 饱和压降（Vce (sat)）：2.5V
  • 特征频率（fT）：1MHz
  • 开关时间（ton/toff）：约 0.3μs/1.5μs
• 温度范围：
  • 工作温度：-65℃至 %2B 150℃
  • 存储温度：-65℃至 %2B 150℃

设计注意事项

1. 基极驱动优化
   为确保深度饱和，建议基极电流至少为集电极电流的 1/1000。若驱动信号为低电平有效，需在基极与发射极间并联下拉电阻（10kΩ）以防止误触发。
2. 散热设计
   Vce (sat)=2.5V时导通损耗为 3.75W，需通过散热片降低结温。
3. 感性负载保护
   在驱动电机、继电器等感性负载时，需并联续流二极管或 RC 吸收电路，防止反电动势损坏器件。
4. ESD 防护
   操作时需佩戴防静电手环，避免 ESD 损坏器件。建议在基极与发射极间并联保护电阻（10kΩ），尤其在干燥环境下需特别注意，ESD 敏感等级为 HBM Class 3B（>8000V）。

总结

BD676 TO-126 凭借其 45V 中低压处理、4A 大电流能力和达林顿结构的超高电流增益（hFE≥750）特性，成为工业电源、汽车电子及消费类设备的理想选择。