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20N65 TO-220

20N65 TO-220he心产品概述

20N65 TO-220 是一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-220 通孔封装，专为 中高压、大电流开关应用 设计。

凭借 650V 漏源电压、20A 连续漏极电流 和 低导通电阻，它在工业电源、高压逆变器及电动汽车充电系统中表现卓越。

20N65 TO-220的技术参数与性能优势

20N65 TO-220的关键特性与应用场景

技术特性

1. 高效能设计：
   • 低导通电阻显著降低传导损耗，提升高压电源转换效率。
   • 低栅极电荷（Qg=37-75nC） 和 低输入电容（Ciss=1240-1650pF） 实现快速开关（<150ns），支持高频工作。
2. 可靠性设计：
   • 雪崩能量耐受，可承受电压尖峰和瞬态过流，适用于感性负载。
3. 兼容性与灵活性：
   • 逻辑电平驱动，兼容多种控制信号源。
   • 支持回流焊与波峰焊工艺，适合自动化生产线，降低组装成本。

20N65 TO-220的典型应用场景

1. 工业与能源：
   • 高压 AC-DC 开关电源：作为初级开关管，在服务器电源、工业控制电源中实现高效电能转换。
   • 高压逆变器与变频器：用于太阳能逆变器、电机驱动变频器，支持宽电压输入与高功率输出。
   • 电力传输与分配：作为开关元件，在高压直流输电系统中实现稳定的电力管理与控制。
2. 消费电子与家电：
   • 高功率适配器与充电器：在游戏本适配器、电动工具充电器中优化能效。
   • 白色家电控制：驱动空调压缩机、洗衣机电机等大功率负载，提升系统可靠性。
3. 汽车电子：
   • 车载充电机（OBC）：支持高压直流充电，满足电动车快速补能需求。
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